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1.联发科将超13亿美元收购PA厂络达；2.联发科否认手机业务将进行人事调整;3.传东芝半导体将分散释股，海力士志在必得;4.IC市场受全球GDP影响程度日益显著;5.半导体未来成长动力仰赖特殊制程与设计;6.英特尔保持行业领先地位代价高昂
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1.联发科将超13亿美元收购PA厂络达；
集微网消息，联发科10日宣布，旗下旭思投资将于2月13日至3月14日间，以每股110元新台币公开收购转投资功率放大器（PA）厂络达15%至40%股权；对照络达今日在兴柜参考价超过99元，溢价约一成，收购规模近10亿元至26.66亿元新台币（约5.75亿美元）。
联发科指出，这项公开收购案预定第3季完成，对络达目标是达成100%收购，未来将比照晨星和立锜模式，以子公司方式独立经营，双方并将携手合攻物联网市场。
联发科若对络达完成100%收购，总收购规模将逾13亿美元。
络达原本就是联发科集团成员之一，目前持股比率约25.6%，络达主要产品线包括手机用PA、射频开关（T/RSwitch）、低噪声功率放大器（LNA）、数字电视与机顶盒卫星（DVB-S/S2）调谐器、Wi-Fi射频收发器和蓝牙系统单芯片等。
随着市场竞争加剧，且未跟上4G商机，络达去年上半年获利不如预期，税后纯益骤降至8,000多万元新台币，年减65% ，每股纯益仅剩1.4元，因此去年8月宣布暂缓申请股票上市计划，股价甚至一度跌破50元，没想到最后却是被联发科100%收购。
联发科认为，这项收购案将有益于整合集团资源并扩大营运规模，提升全球市场竞争力，预计对于母公司经营绩效将有正面帮助。 尤其是双方均布局物联网市场，成为联发科100%收购络达的主因。
联发科指出，考虑母公司在物联网市场拓展策略，双方产品运用在相似的消费性产品中，但应用范围互补，待被收购公司成为集团的成员后，将可提供客户一次性采购的便利，同时扩大集团的经营规模、以提升经营绩效与竞争力，在新领域的布局会更广、更快。
2.联发科否认手机业务将进行人事调整;
集微网消息，鉴于营收占比超过6成的手机芯片业务有挑战，且今年产品蓝图不振让获利持续有压，近期业界传出为重整产品力，联发科无线通信事业群人事将有变动。 但联发科发言体系否认了相关人事调整传闻。
产业人士指出，去年起联发科产品蓝图乱了阵脚，今年产品时程甚至可能与大客户错身，过往国际品牌SONY ODM机款都是采用联发科芯片，但今年高通积极争取，如ODM机款重新启用高通芯片，等于睽违3年后，高通竞争力再度显现。
因产品线调整恐需要1年以上的时间，近期产业已传出，联发科无线通信事业群的高层人事将有变动，产业人士透露，预期是将其他部门的具备20年经验的老将，调到手机部门来支持。
3.传东芝半导体将分散释股，海力士志在必得;
集微网消息，据海外媒体报道，东芝（Toshiba）以 NAND 型闪存（Flash Memory）为主轴的内存业务（含 SSD 事业、不含影像传感器）将在 2017 年 3 月 31 日分拆出去，成立一家半导体新公司，而东芝为出售半导体新公司部份股权，已于上周进行招标。 据悉包含鸿海在内有约 5 阵营出手，竞标东芝半导体事业，其中鸿海传出目标是要掌控经营权，想要取得东芝半导体事业过半股权。
不过鸿海该目标恐很难实现，据悉东芝为了降低外部企业的影响力，除了释出的股权将压低至不足 20%（19.9%）之外，还考虑分散释股，计划将 19.9% 股权卖给多家企业。
日经新闻 10 日报导，东芝考虑将计划释出的半导体事业新公司股权分散卖给多家企业，也就是说，东芝计划释出的 19.9% 股权将由多家企业分食。 报导指出，东芝半导体事业分拆出去后，仍将被东芝定位为核心事业，因此期望藉由将股权分散卖给多家企业，降低外部企业的影响力。
据报导，东芝目前已和鸿海、美光（Micron）、Western Digital（WD）、SK Hynix 和投资基金美国贝恩资本（Bain Capital）等约 5 阵营进行卖股协商，不过据东芝干部透露，「关于美光、WD、SK Hynix，因上述企业和东芝为同业，相互竞争，造成独占禁止法的审查恐费时，故出线机率不高。 」为避免在 3 月底陷入债务超过局面，东芝目前急于要出售半导体事业新公司股权。
SK海力士社长朴星昱周四矢言，今年将强化3D NAND闪存业务，观察家听出此话另有弦外之音，认为尽管东芝意愿不高，但海力士入股的意志却相当坚决。
朴星昱说NAND 闪存从2D转换至3D架构，将创造许多商机，海力士今年务必尽全力把握住。 据估计，随着大数据、云端应用扩散，2020年NAND芯片市场规模将膨涨至460亿美元。
海力士是全球第二大内存厂，不过其NAND芯片技术目前仍落后三星一大截。 海力士迟至去年11月才开始量产48层3D NAND内存，而三星早已推出64层产品。
三星目前是NAND内存龙头，市占率为32.6%，东芝以21%排名第二位，SanDisk、美光以15.4%与14.8%分居三、四名。 海力士仅以11.9%吊车尾挤进前五强。
4.IC市场受全球GDP影响程度日益显著;
全球经济成长已经成为IC产业成长的主要影响因素，包括利率、原油价格以及财政刺激等都是IC市场的主要驱动力。
IC Insights的最新报告指出，自2010年以来，全球经济成长已经成为IC产业成长的主要影响因素，包括利率、原油价格以及财政刺激(fiscal stimulus)等都是IC市场的主要驱动力；这与2010年之前的情况非常不同，在那时候驱动IC市场的力量是资本支出、产能以及芯片价格。
下图显示了自1992年以来全球GDP与IC市场的实际年成长率，以及IC Insights针对2017年的预测数字；可看见这两种数字在1992至2010年之前都变动很大，直到2011年与2016年间成长趋缓。 而IC Insights也预测全球GDP与IC产业到2021年恐怕都将维持有限的成长。
IC Insights报告针对全球经济成长率(GDP)的观察还包括：
自1980年以来，全球GDP成长率平均为2.8%；而自1960年代以来，全球GDP成长率每十年都会下滑，不过预测在最近这十年的前七年会微幅反弹。
大多数经济学家都会以全球GDP成长率在2.5%以下做为景气萧条的指针，这意味着2016年的成长率达到低点，而2017年的GDP成长率预测会略微回升到2.6%；在1990年代末，新兴市场如中国与印度对全球经济的贡献度仍然很小，当时全球景气萧条通常被定义为GDP成长率2.0%以下。
下图比较了2011年至2017年(IC Insights预测值)的实际全球GDP成长率以及IC市场成长率；值得注意的是，与上图相较，这个时间段的数字变化显得温和许多；IC Insights预期，全球GDP成长率在2016至2021年间会维持在2.5%~3.0%的范围内，IC市场成长率也会比照这个趋势，到2021年都在2%~7% 的较窄范围内变动。
有鉴于全球GDP与IC市场年成长率之间的紧密相关性，IC Insights认为IC市场到2021年都不至于发生明显的变化周期，除非全球GDP出现较大幅度的上下振荡(负成长超过2%、正常长超过3%)。eettaiwan
5.半导体未来成长动力仰赖特殊制程与设计;
电晶体尺寸不断微缩，价格也变得越来越昂贵，德州仪器技术长Ahmad Bahai日前在国际固态电路会议(ISSCC)上指出，结合特殊制程与设计方法才能继续推动半导体产业的快速成长。
根据EE Times报导，微缩CMOS尺寸对于小型电子产品和增加电池续航力是很重要的，但手机已不再是提供指数型成长的唯一产品，与其持续增加CMOS中的电晶体数量，不如将重点移往更聪明的设计与特殊封装。
Bahai表示，模拟工程师可用的创新架构包括了含精密被动元件的数位辅助类比和系统级封装，专门制程则包括BiCMOS，将功率较高的电晶体嵌在CMOS数位基板上，并使用矽锗(SiGe)、碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)供应电源。
Bahai以汽车雷达处理器使用的mm-RF电路作为市场过于依赖CMOS微缩的例子。Bahai表示，汽车雷达收发器仰赖的是混合技术，技术要求包括宽带和波束成型，以达到高精确度和材料穿透性，这方面微缩CMOS能增加的效益有限。
封装金属化必须经过优化才能改善被动元件并克服封装中粗大图形尺寸的谐波特性。Bahai指出，汽车模组具有高度灵敏度，不仅可侦测并生成接近车辆的影像，还能针对驾驶的呼吸模式进行成像。
个人化医疗使用的可穿戴装置，则是另一个具有快速成长潜力的应用，并且要求不同的技术，如超低功耗、用过即丢、维持开启状态和即时运作。可穿戴生物感测器提供的资料比简单的心率更有意义，临床血糖仪也可进行自适应采样，微缩CMOS未必能提供助益。
此外，电源管理应用通常须在功率处理和切换速度间做取舍，因为原则上电压越高，功率传输系统越不稳定，使用特殊制程可将这种折衷最小化，新一代功率电晶体包括LDMOS、超结面电晶体(Super Junction Transistor)、氮化镓、碳化矽和积体被动元件。
较新的电晶体材料则可达到较高的切换频率。例如电压600V以上工业应用主要使用矽绝缘闸双极电晶体(IGBT)，切换频率相对较低。电脑则使用MOSFET，切换频率为100MHz。超结面Mosfet的操作电压不超过1kV，Sic FET则不超过1.8kV，可提供较快的切换速度。GaN FET则在600V以下运行，可处理最高10s的切换速度。DIGITIMES
6.英特尔保持行业领先地位代价高昂
对英特尔公司来说，保持芯片行业领先地位是有代价的，而且这种代价并没有减少的趋势。该公司预计旗下核心数据中心部门的营运利润率将继续承压，因该部门将承担更多因转而采用先进的新制造工艺而产生的成本。
对英特尔公司(Intel Co., INTC)来说，保持行业领先地位是有代价的，而且这种代价并没有减少的趋势。
英特尔周四向分析师表示，预计旗下核心数据中心部门的营运利润率将继续承压，该部门将承担更多因转而采用先进的新制造工艺而产生的成本。在这之前的一年，英特尔数据中心部门的收入增幅曾不及该公司最初的预期。英特尔股价周四下跌。
但这种迹象已经存在一段时间。英特尔上个月就已披露今年把资本支出提高至120亿美元历史最高水平的计划，比此前一年高出25%。该公司研发支出占收入的比重持续上升，2016年达到22%，而五年前为16%。
现在，英特尔还计划在未来几年投资70亿美元完成亚利桑那州一处制造设施的建设工作。由于需求存在不确定性，该设施的建设在三年前被暂停。
由于该设施的修建意味着美国将增加约3,000个高薪制造业就业岗位，因此英特尔宣布的这一计划赢得了美国总统特朗普(Doanld Trump)的赞赏。但英特尔原本就可能要继续修建该设施。与许多其他半导体公司不同，英特尔的产品实际上均由该公司自己生产，因此保持先进的制造工艺对英特尔的竞争优势至关重要。
这需要巨大的投资。英特尔也丝毫不能松懈。英特尔的数据中心部门目前是其主要增长引擎，但随着大型云服务提供商寻求推出替代产品，英特尔数据中心面临的竞争加剧。有鉴于此，英特尔不得不扩大支出以保持自己的领先地位。2016年，英特尔数据中心的营运利润率为44%，之前一年为49%。
不过，这也是一场金字塔尖上的竞争：英特尔的强劲现金流和利润意味着几乎没有公司能够与该公司的支出匹敌。2016年，英特尔仅研发支出就达到127亿美元。该公司也有雄厚的资金实力实现了向可编程芯片和移动设备等新领域的大规模扩张，同时依然保持慷慨的现金回报政策，股息收益率高达2.9%，属同类大型科技公司中最高之列。英特尔周四表示，今年计划将派息提高5%。
英特尔估值也较低，预期市盈率约为12.7倍，较费城证交所半导体分类指数(PHLX Semiconductor Index)低12%。在英特尔不得不加大押注时，这应有助投资者保持对该公司的投资。华尔街日报
