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芯片代工大厂GlobalFoundries为直攻7纳米制程，计划在其美国纽约晶圆厂投资数十亿美元，引进最先进的生产设备。
根据华尔街日报(博客,微博)(WSJ)报导，GlobalFoundries并未发表具体投资金额。但据VLSI Research分析师预估，GlobalFoundries需投资40亿~50亿美元采购新设备方能实现目标。
GlobalFoundries执行长Sanjay Jha表示，让公司将打破半导体产业惯例，跳过10纳米制程，由目前的14纳米制程直攻7纳米制程，计划在2018年开始量产。
台积电、英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)等半导体大厂都计划在7纳米制程之前先导入10纳米制程。但Jha认为，10纳米制程的技术优势不大，恐难回收成本，而该公司规划中的7纳米制程，能同时提升芯片的30%效能及降低60%功耗。
事实上，半导体公司在每一代制程中能更加了解新制造技术和材料，因此通常不会跳过任何一代制程。Endpoint Technologies Associates分析师表示，GlobalFoundries的策略相当大胆，要直接跳过一代制程是有点冒险的行为。
GlobalFoundries还计划祭出其他奇招。除了在纽约州晶圆厂引进7纳米制程，该公司还计划在德国Dresden晶圆厂采用完全不同的生产工艺。Jha表示，这种被称为全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator；FD-SOI)的技术更适合生产低成本、低功耗芯片。GlobalFoundries还计划导入Everspin Technologies开发的电路，以FD-SOI技术制造磁阻式存储器(MRAM)。
