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英特尔(Intel)在大陆大连设置的非挥发性存储器(NVRAM)工厂已在7月25日正式投产，该厂耗资55亿美元，是全球首间采用12吋晶圆制造技术的NVRAM积体电路制造厂。
据中新社报导，英特尔大连厂员工包含千名英特尔员工和数千名建设供应商员工，目前正积极推动量产。看好NVRAM可观的市场潜力，以及全球对以Gigabyte为单位的存储器需求，每年成长率约为40%，英特尔于2015年10月在大连投入55亿美元建设NVRAM厂，是该公司在大陆规模最大的投资。
英特尔指出，目前大部分资料中心皆采用英特尔伺服器芯片和固态硬碟(SSD)，而NVRAM固态硬碟更是英特尔的核心运算业务，也是全球首见的先进技术产品。即使在断电的情况下，NVRAM芯片仍然能正常保存资料，包括已广泛应用于智能型手机和平板电脑的快闪存储器芯片，而英特尔大连厂则是全球第一个使用12吋晶圆制造技术的NVRAM积体电路制造厂。
英特尔资深副总裁兼NSG事业部总经理表示，大连NVRAM厂提前投产是新的里程碑，也是英特尔在全球的协作方与公益商成功合作的范例。
