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北海道大学的科学家开发出一种可利用磁、电讯号的元件，能为USB随身碟等传统记忆体元件提供2倍的储存容量。
资讯储存的方法一般分为两种类型：电能或磁性。然而，如果找到一种材料分别具有电性与磁性的双稳态特性，就有可能让相同体积的储存容量增加一倍。
日本北海道大学(Hokkaido University)研究所的科学家们展示了锶钴氧化物(SrCoO x)材料的两种形式：一种是绝缘非磁体，另一种是金属磁体。藉由改变电化学氧化/还原的氧含量，就能切换这种材料的磁化状态。
为此，研究小组开发出一种可在室温空气中安全使用锶钴氧化物的方法，它不至于让硷性溶液泄漏出来。这种方法只要在氧化锶钴层上施加钽钠薄膜即可。当3V电流施加在绝缘的SrCoO 2.5形式时，即可在3秒内逆向切换至其金属磁体形式SrCoO 3。
研究人员表示，只要让元件变得更小，就能大幅缩短这种化合物在绝缘体与磁铁之间切换的时间。
编译：Susan Hong
(参考原文：Adding magnetics could double storage density，by Peter Clarke)
