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2015年中国十大IC设计企业及全球排名;-科技频道-金鱼财经网

[2021-02-24 16:59:01] 来源: 编辑:wangjia 点击量:
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导读: 英国芯片设计商Imagination Technologies公司(以下简称“Imagination公司”)长期以来一直在为苹果及其它手机公司生产配件。然而,由于全球智能手机销量下滑以及苹果iPho
 

英国芯片设计商Imagination Technologies公司(以下简称“Imagination公司”)长期以来一直在为苹果及其它手机公司生产配件。然而,由于全球智能手机销量下滑以及苹果iPhone销量增速放缓,Imagination公司遭遇了其史上最严重的亏损局面。

Imagination公司今天发布了该公司截至4月30日2016财年财报。财报显示,Imagination公司2016财年营收为1.2亿英镑(约合1.58亿美元),低于前一财年的1.568亿英镑;亏损为6150万英镑(约合8107万美元),前一财年则是利润570万英镑。

Imagination公司表示,“在2016财年上半财年,我们遭遇了半导体市场严重乏力的困境,这主要是由于全球智能手机销量疲软以及整体经济下行。”

事实上,苹果也是Imagination公司的股东之一。此前,苹果也证实称,该公司一度想完全收购Imagination公司,为此还与Imagination公司举行了相关谈判。

Imagination公司首席执行官安德鲁·希斯(Andrew Heath)表示,该公司“已经采取必要的措施,以便让公司重返正常的财务轨道。如果重组公司的话,那将需要作出异常艰难的决策。我正在重点关注公司的重组计划,以实现公司重返正常财务轨道的目标。”

Imagination并非只生产芯片。事实上,Imagination也是Pure数字广播公司的母公司。不过,为了重返盈利轨道,Imagination可能会寻求抛售Pure公司。希斯表示,抛售Pure会“吸引各方的广泛兴趣”。 (金全)

3.集邦科技:DRAM价格Q3将涨4~8%;

由于记忆体原厂端供货吃紧,一线PC-OEM客户于六月提前与DRAM厂洽谈第三季合约价格,集邦科技旗下DRAMeXchange预估第三季DRAM合约价上涨趋势确立,涨幅约4~8%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,经过近两年的续跌,6月合约价已呈现持平,普遍用12.5美元价格议定完成。DRAMeXchange最新报价显示,DDR3 4GB合约均价从2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元,跌幅高达62%。

吴雅婷表示,第三季的DRAM合约均价起涨,起因于标准型存储器需求不振,加上搭载量受制于Windows 10的授权金制度而无法有效上升,价格逐步往成本贴近,使得韩系DRAM厂在第二季陆续调降标准型记忆体的产品比重。

所幸全球智慧型手机的存储器搭载量今年成长率仍高达36%,下半年旗舰机种搭载量上看6GB,服务器存储器今年平均搭载量也上看110GB,年成长25%,将有效消化产品比重调整下多出来的量能。

NAND供货吃紧也助攻DRAM涨价。SSD产品的需求强劲、手机eMCP与eMMC已确定涨价以应付旺季需求,加上三星西安厂的意外跳电让存储器模组厂于当天停止DRAM与NAND供货,多重因素引爆DRAM现货市场价格全面上涨,一扫过去一路走跌的阴霾,如DDR3 4Gb已上涨9%,7月1日盘价来到1.65美元。

此外,原厂制程逐步优化,三星将把18奈米制程导入量产,SK海力士与美光也在扩大20/21奈米制程的投片量,整体的获利结构有望从谷底再度攀升,预期下半年DRAM市况将更加健康。

美光于日前宣布第三季(3~5月)财报表现不佳,为撙节开支预计裁员2,400名,但美光仍未停止寻求的各种形式的合作。去年紫光集团收购美光股份案遭美国CFIUS反对而锻羽而归后,盛传中国内部正集结更大力量与美光洽谈非DRAM产品的合作,此举将不抵触华亚科并购事宜,近日亦传出一美系厂商也与美光洽谈中。

从历史来看,美光至今的每一笔的收购皆漂亮收场,如1998年收购TI(德州仪器)存储器事业处七座工厂、2008年收购Qimonda(奇梦达)持股、2012年收购破产的尔必达,后续美光也将秉持一贯原则,选取对自身利益最大化的合作对象。

吴雅婷指出,美光早已把台湾视为最重要的DRAM生产基地,目前在台DRAM总投片量占美光的60%。台湾美光存储器(前瑞晶)正部署16奈米制程的生产,华亚科除下半年将100%生产20奈米制程外,今年下半年产品组合将从标准型存储器与服务器存储器转换至成本结构与获利最佳的移动存储器,无论华亚科未来走向如何,将是近期美光集团中最具竞争力的DRAM厂。(苏嘉维/台北报导)苹果日报

4.企业储存迎来超大容量SSD时代;

企业级SSD储存容量正式超越传统硬碟,10TB以上超大容量SSD时代已将到来,将给企业储存应用带来新的局面 关于SSD何时取代硬碟的议题中,有两个观察指标:一是储存密度或容量的对比,二是单位容量成本的对比。

关于SSD何时取代硬碟的议题中,有两个观察指标:一是储存密度或容量的对比,二是单位容量成本的对比。

面对SSD的竞争,更大的容量(以单一装置而言),与更低的单位容量成本,是传统硬碟仅存的少许优势,但其中容量更大一项,已即将为SSD所超越。当前最大容量10TB硬碟问世还不过1年时间,容量更大的15.3TB SSD已经在2016年上半年开始出货,一举逆转硬碟原有的容量优势。

从下半年起,主要的企业级储存设备都将陆续支援15.3TB规格的SSD,但随着这类超大容量SSD的应用,也给企业储存带来新的问题,进而将带动新的储存架构发展。

容量增长速度惊人的SSD

在技术进步的驱动下,无论硬碟还是SSD的容量都在持续增长,但两者的成长速度不同。由于储存装置的外型尺寸规格是固定的,所以是透过容量密度的提高来使容量向上增长,硬碟容量的成长取决于磁录技术进步所带来的磁录密度成长,而SSD的容量成长则取决于半导体制程技术的进展。相较于硬碟磁录技术,半导体制程技术的进步更快,也给SSD带来更快的容量成长速度。

SSD虽然直到2013年初才突破1TB容量,而同时期的硬碟最大容量已有6TB。但2年后,市场上就有4TB容量的SSD可买,相较之下,硬碟容量从1TB成长到4TB,便花了将近5年时间。

而到了2016年中的现在,硬碟最大容量虽然从3年前的6TB增加到10TB,提升了66%的容量,但在SSD方面,随着3D NAND Flash记忆体技术的实用化,SSD容量更是以倍于从前的速度持续增长,2015年初出现了6TB SSD,2016年初又有13TB容量的SSD上市,现在更大的7.68TB与15.3TB容量SSD,也都即将在下半年上市,较3年前增加了15倍。

硬碟容量从1TB成长到当前的10TB,足足花了8年多,相对的,SSD从1TB成长到15TB容量,却只花了3年多,由此可见两种储存媒体的容量成长速度差异。

而且10TB硬碟是属于3.5寸规格,而SSD的标准规格是2.5寸,以更小的尺寸却能提供高出50%以上的容量,因此双方的容量密度还有着更大的差距。 一直到2016年上半年之前,硬碟相对于SSD都还拥有容量优势,但随着SSD导入3D NAND技术,从2015年起储存容量便急速增长,到2016年上半年已正式超越硬碟。

一直到2016年上半年之前,硬碟相对于SSD都还拥有容量优势,但随着SSD导入3D NAND技术,从2015年起储存容量便急速增长,到2016年上半年已正式超越硬碟。

超大容量SSD即将进入企业储存应用

直到今年5月之前,企业级储存设备可用的2.5寸SSD,最大容量仍是3.84TB,多数产品支援的最大容量规格则是3.2TB。

不过,随着三星的15.3TB容量SSD在2016年上半年开始出货(2015年8月发表),企业储存设备也陆续支援了这种超大容量SSD。

例如,在5月底发布的ONTAP 9作业系统中,NetApp宣布将支援15.3TB的SSD,是第一个支援这种容量规格的企业级储存系统。接下来HPE亦在6月初宣布,旗下的3PAR StoreServ储存产品线将支援7.68TB与15.3TB SSD(目前StoreServ 8000系列型录中,已有7.68TB SSD可选,15.3TB款式应会在稍晚提供)。Dell亦向我们透露,将在下半年为主力储存产品线与伺服器产品,引进7.68TB与15.3TB的SSD。

虽然7.68TB与15.3TB的SSD上市初期的价格仍十分昂贵(市价据称达到2~4万美元),但可一举将储存系统容量提高2~4倍,因此我们可以预期,到了今年年底时,主要储存与伺服器供应商,都会陆续支援这类型SSD。

不过从另一方面来看,随着这类超大容量SSD的导入,也企业储存应用带来下列新的问题。

@小小标:系统可用性疑虑增加

随着SSD储存容量的增加,如今只需较少数量的SSD,就能组成相同容量的储存阵列。例如在主流企业端SSD最大容量只有3.2TB的过去,必须使用16台SSD才能组成50TB的储存群组,现在改若用15.3TB SSD便只需4台。但这也意味着,当一台SSD失效时,所造成的影响也更大。

以前面那个例子来说,使用3.2TB SSD组成50TB储存群组时,每台SSD平均保存整个系统6%资料量,一台SSD失效时,只有6%的资料需要重建;而换成15.3TB SSD时,由于每台SSD保有整个系统25%的资料,一旦失效,就得重建多达25%的资料量,需要的重建时间与资料遗失风险都大幅提高了数倍。

事实上,随着单一磁碟机容量增加,造成RAID群组资料重建时间大幅增长的问题,在4TB、6TB等大容量硬碟问世时就已经存在,现在当SSD容量赶上甚至超越硬碟后,由SSD组成磁碟群组的环境,也开始要面临这个问题。

@小小标:亟需引进新一代RAID保护技术

传统的RAID技术必须在磁碟群组中指定备用的Hot Spare磁碟,当磁碟失效、必须进行资料重建时,写入负担将集中在Hot Spare磁碟上,以致成为重建时的效能瓶颈,因此需要重建的资料量越大,重建时间也将以线性增长。

当硬碟或SSD容量达到10TB以上时,如果再继续使用传统RAID技术,势必将面临重建时间过长,以及系统可靠性不足的问题。

要解决这个问题,必须分为2个层次来处理。

首先,是必须提高磁碟群组的可靠性。当单一磁碟机或SSD的容量达到数TB程度时,由于需要的重建时间已相当长,只允许整个群组损失1台磁碟的RAID架构是不够用的,在漫长的重建期间内,若有另1台磁碟失效,整个群组便无法恢复,所以至少必须提供等同于RAID 6、允许损失2台磁碟的架构,才能保证系统进行资料重建时,还拥有基本的保护能力。

而当单一磁碟容量达到10TB等级时,磁碟失效所需的重建时间又增加了数倍,此时RAID 6等级的保护也不够充分,将需要透过Erasure code技术,引进更多的校验磁碟来确保可靠性。例如NetApp新提出的RAID-TEC,与Nimble Storage的RAID 3P+等技术,都提供了允许磁碟群组损失3台磁碟的容错能力,

其次,是必须设法减少磁碟群组重建时间。这需要舍弃传统RAID架构,改用分散式的新型RAID架构,不再使用单一的Hot Spare磁碟,而是将重建负担分散到所有磁碟机,藉此大幅提高系统的重建效率。例如HPE 3PAR的FAST RAID、NetApp的动态磁碟池(Dynamic Disk Pool)、Dell源自Compellent的动态区块(Dynamic Block),或是华为的RAID 2.0等,都是属于这类新创的RAID架构。

对专属规格SSD需求减少

先前曾有某些厂商,透过专属的Flash模组,来提供大于标准2.5寸SSD的容量,或是超越SATA/SAS等标准传输介面的效能。

例如HDS在2013年中发表HUS VM全快闪储存阵列时,便发表了比同时期标准规格SSD容量大了4倍的3.2TB专属FMD模组。稍后IBM 2014年初发表的Flash System 840,也提供了4TB容量的专属Flash储存模组。接下来HDS又在2015年底发表6.4TB的FMD模组,也比同时期标准规格SSD的最大容量多了近70%。

但在3D Flash记忆体技术的应用下,现在只需使用2.5寸标准规格的SSD,就能提供更大的容量,搭配NVMe等新型I/O介面,也能提供十分可观的效能,因此,专属规格Flash模组的价值明显已经大幅降低。 市面上第一款15.3TB容量硬碟,是三星的PM1633Ma,利用48层的3D V-NAND Flash晶片组成512GB容量的记忆体封装,然后结合32组记忆体封装成为15.3TB超大容量的SSD,但外型仍是标准的2.5寸规格,采用12Gb SAS介面。NetApp、HPE与Dell的储存设备都将陆续支援这款SSD。

市面上第一款15.3TB容量硬碟,是三星的PM1633Ma,利用48层的3D V-NAND Flash晶片组成512GB容量的记忆体封装,然后结合32组记忆体封装成为15.3TB超大容量的SSD,但外型仍是标准的2.5寸规格,采用12Gb SAS介面。NetApp、HPE与Dell的储存设备都将陆续支援这款SSD。

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5.与三星PK,东芝、西部数据斥资 981 亿人民币提升闪存产量;

集微网消息,据海外媒体报道,东芝与美国合作伙伴西部数据Western Digital,将于未来3年合共投资1.5万亿日圆(981亿人民币),为目前位于日本的快闪存储器厂房增产。

目标 2017 财年将 3D 存储器的生产提升至占市场份额一半,并于2018财年增至逾 80%。日后,两家公司合营的日本三重县四日市厂房的产能,将为韩国三星电子旗舰工厂的约两倍。

2016年上半年,东芝已少量生产 48 层 3D NAND Flash。为拉近落后于三星的距离,东芝与 SanDisk 阵营正检讨 2016 年下半年量产 64 层 3D NAND Flash的可能性。

J.P.摩根发表研究报告指出,三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开,且该公司还计划把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。

另外,三星也将善用Line 17厂在二楼的空间,于明年投产3D NAND。依据上述假设,J.P.摩根估计三星明年底的3D NAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片),等于是比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%,并占业界总体产能的12%。

西部数据于5月完成收购SanDisk,并涉足SanDisk与东芝自2002年起开始合营的这个厂房。

今年初,该厂房开始量产3D快闪存储器,把产能提升逾8倍。该芯片可让智能手机、储存设备及其他电子工具,体积更细及能源效益更高。

6.Rambus将收购Inphi存储器互联业务

Rambus公司宣布已签署一份最终协议,以9000万美元现金收购Inphi公司的记忆体互联业务。此次收购包括Inphi记忆体互联业务的所有资产,包括:产品库存、客户合约、供应链协议和智慧财产权。并购后的业务将进一步加强Rambus记忆体缓冲器晶片产品的市场地位,并增强未来记忆体计画的实现,以满足伺服器、网路和资料中心市场的需求。 Rambus公司宣布将收购Inphi公司的记忆体互联业务,此次兼并将使记忆体晶片组业务加强市场地位 Rambus公司宣布将收购Inphi公司的记忆体互联业务,此次兼并将使记忆体晶片组业务加强市场地位

Rambus总裁兼执行长Ron Black博士表示:“我们不断评估加强坚实基础和发展公司业务的方式,以便充分满足当今市场的需求。将公司的缓冲器晶片团队与Inphi记忆体互联业务相结合,我们能够立即获得强大的市场地位并为未来成长做好准备。此次收购将带来现有产品收入、成熟技术、更快的上市时间以及一流的记忆体技术组合。”

Inphi是高速类比和混合讯号半导体解决方案供应商,已建立一系列在伺服器、资料中心和计算市场的各种应用中加速资料移动的解决方案。Inphi产品和Rambus伺服器DIMM晶片组产品组合的结合将提供快速、高效率的解决方案并拓展Rambus的产品组合。

此次收购预计于2016年第三季完成,至于所收购的这些技术将隶属Rambus记忆体和介面部门(Memory and Interfaces Division)。CTIMES

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