AD
ARM宣布首款采用台积电(TSMC) 10奈米FinFET制程技术的多核心64位元ARMRv8-A处理器测试晶片问世。模拟基准测试结果显示，相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算晶片的16奈米FinFET+ 制程技术，此测试晶片展现更佳运算能力与功耗表现。
ARM宣布首款采用台积电(TSMC) 10奈米FinFET制程技术的多核心64位元ARMRv8-A处理器测试晶片问世。模拟基准测试结果显示，相较于目前多用于多款顶尖高阶手机运算晶片的16奈米FinFET+ 制程技术，此测试晶片展现更佳运算能力与功耗表现。
此款测试晶片已成功获得验证(2015年第4季已完成设计定案)，为ARM与台积电持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积公司最先进的10奈米FinFET制程完成设计定案。此外，亦可供SoC设计人员利用基础IP(标准元件库、嵌入式记忆体及标准I/O)开发最具竞争力的SoC，以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。
此款最新的测试晶片是ARM与台积电长期致力于先进制程技术的成果，植基于2014年10月宣布的首次10奈米FinFET技术合作。ARM与台积电共同的IC设计客户亦获益于提早取得ARM Cortex-A72处理器的ARM Artisan实体IP与16奈米FinFET+设计定案，此款高效能处理器已获当今多款畅销高阶运算装置采用。
