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超低顺向压降SiC萧特基二极体提高应用效率-科技频道-金鱼财经网

[2021-02-24 08:26:00] 来源: 编辑:wangjia 点击量:
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导读: Littelfuse为其不断扩展的功率半导体产品系列增加新产品——LFUSCD系列碳化矽(SiC)萧特基二极体。 Littelfuse为其不断扩展的功率半导体产品系列增加新产品——LFUSCD系列碳

Littelfuse为其不断扩展的功率半导体产品系列增加新产品——LFUSCD系列碳化矽(SiC)萧特基二极体。

Littelfuse为其不断扩展的功率半导体产品系列增加新产品——LFUSCD系列碳化矽(SiC)萧特基二极体。

相较于标准的矽双极功率二极体,LFUSCD系列碳化矽萧特基二极体,让研发工程师能够降低开关损耗,在避免电子零件热飘移的情况下,承受较大的突波电流,并在更高的介面温度下运行,上述所有因素均可提高系统效率和耐用性。

LFUSCD系列采用整合的p-n萧特基(MPS)元件结构,可确保提升突波能力并降低泄漏电流。额定电压为650V和1200V,额定电流为4A至30A,适用于广泛市场,包括工业电源、太阳能变频器、工业驱动器、焊接和电浆切割以及EV/HEV充电站。

LFUSCD系列碳化矽萧特基二极体可提高应用的效率、可靠性与热管理,例如:

功率因数校正(PFC)

DC-DC转换器的降压或升压阶段

变频器级的续流二极体(开关模式电源、太阳能、UPS、工业驱动器)

高频输出整流

LFUS系列碳化矽萧特基二极体提供下列关键优势:

同类产品中最佳的电容存储电荷以及近乎为零的逆向恢复电流使这些设备非常适合高频电源开关应用,确保可忽略不计的开关损耗,并降低对逆向开关的应力

同类产品中最佳的顺向压降, 可确保低传导损耗

175°C的最高介面温度可提供更大的设计空间以及更为宽松的热管理要求

整合后的p-n萧特基(MPS)器件结构可增强抗突波能力,并提供极低的泄漏电流

LFUS系列碳化矽萧特基二极体提供TO-220双接脚和TO-247三接脚管式封装。

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