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手机之家12月24日消息，据外媒报道，美国公布了9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者的名单，美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖，没错就是与我们息息相关的鳍式场效晶体管（FinFET）的发明者。
据胡正明表示，FinFET的两个突破，一是把晶体做薄后解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直。他认为，FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，而这项技术现在仍看不到极限。
目前，三星、台积电目前的14nm/16nm都依赖于FinFET技术，在目前的发展趋势中，的确还不能看到此前20nm的尽头。
