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Fairchild在其第四代 650V 及 1200V IGBT 元件中降低能量损失达 30%。Fairchild 采用专为工业及汽车市场高/中速开关应用量身定制的全新设计方法，可提供工业领先级效能以及极强的闩锁抗杂讯能力，实现卓越的耐用性与可靠性。Fairchild 在 PCIM Asia 2015 展览会上展示了该方法及其在若干应用中的测试结果。
Fairchild 采用全新的自校准接触技术来实施先进的高密度间距、自平衡单元结构，在 -40℃~ 175℃的温度范围内可实现极高的电流密度以及非常出色的动态开关特性。全新设计的第四代 IGBT 具有极低的饱和电压 (Vce(sat) = ~ 1.65V) 及低开关损失 (Eoff = 5μJ/A) 等权衡特性，助客户实现更高的系统效率。除了新一代产品，Fairchild 还将提供标准化且功能强大的设计与模拟基础架构套件，适用于所有高低压功率元件。
Fairchild Fellow Thomas Neyer 表示∶“Fairchild 采用的全新方法包括，透过非常精细的单元间距设计来增强效率，实现极高的电子射入效率，透过全新的缓冲结构来限制电洞载子的射入。这些改进实现了巨大的效能优势，使 Fairchild 能够赋予制造商全新的解决方案，藉助我们的 IGBT 高效控制电源产生的巨额成本。”
