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威世(Vishay)推出VRPower整合型DrMOS功率级解决方案，提供三种 PowerPAK封装尺寸，以应对高功率高效率多相负载点(POL)应用领域，其中Siliconix SiC789与SiC788采用MLP66-40L封装，为英特尔(Intel)4.0 DrMOS标准(6毫米(mm)×6毫米)脚位；SiC620及SiC620R则采用全新的5毫米×5毫米MLP55-31L封装；SiC521则是4.5毫米×3.5毫米的MLP4535-22L封装。此装置被最佳化于需要高电流，有空间限制的运算、储存设备、电信交换器、路由器、图形卡与比特币挖矿机的直流(DC)-DC电转换器。
6毫米×6毫米脚位提供更方便的升级路径，给设计上需要更高的输出功率并已使用Intel标准DrMOS 4.0的脚位者，全新5毫米×5毫米及3.5毫米×4.5毫米的脚位，给设计上需要更局限、紧凑空间的电压调节器，提供更理想的选择。PowerPAK MLP55-31L及MLP4535-22L改善数种在封装上所产生的寄生及热度效应。
举例来说，在传统多相降压型转换器设计中，采用双边冷却MLP55-31L封装的SiC620R可传送70安培(A)，效率为95%；能同时冷却封装顶部及底部，较前一代封装相比减少20%的损失，占板面积也减少33%。缩小型的SiC521可在笔电、伺服器周边设备、电信交换器及游戏主机板等设计中传送高达25安培的连续电流，电流峰值达到40安培。
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