AD
晶圆代工厂联电昨（16）日通过提前启动明年资本支出执行预算256.48亿元，以加快建置28纳米制程产能脚步及南科P5厂无尘室兴建。今年联电资本支出仍维持在11亿美元（约新台币330亿元）到13亿美元（约新台币390亿元)。
图／经济日报提供联电财务长刘启东表示，通过256.48亿元的预算，将于明年支出，对今年资本支出并无影响。
不过因设备必须提前于一年前开始订购，因此董事会昨天通过执行预算，以利采购作业。
刘启东强调，今年联电资本支出仍维持在11亿到13亿美元。至于明年的资本支出总金额，仍将于年底或明年初董事会核定后公布。联电今年首季实际资本支出不到3亿美元，进步缓慢，不过，昨天董事会通过上述资本支出预算，将会加快脚步。
联电董事长洪嘉聪日前主持联电股东会时表示，联电28纳米制程落后，但今年制程技术及营运渐入佳境，绝对不会让股东投资血本无归。联电28纳米良率逐步提升，今年下半年将迎头赶上，而且会直接切入14纳米，预定2015年试产，缩短和台积电竞争差距。
联电执行长颜博文表示，联电导入28纳米制程，重心将放在其中生产手机芯片效能较佳的高介电常数金属闸极（HKMG）制程，预估今年第4季放量；目前28纳米营收占比约1%，全年将逾5%。
刘启东强调，联电通过256.48亿元的资本支出预算，将会集中于28纳米产能扩充及14纳米产能有效化，通过预算后，联电仍会做现金流量规划。
刘启东指出，联电延续2012年与IBM的技术授权关系，除加入IBM 技术开发联盟，共同开发10纳米制程技术外，并藉由IBM的技术支持，持续提升内部自行研发的14纳米技术。
联电对自家财务规划相当自豪，近期相继有相关动作，包括出售转投资澜起科技股权给浦东科技，估计将大赚30多亿元，还处分晶电股票，也获利4.16亿元，资金全数投入冲刺28纳米先进制程和14纳米研发，展现急起直追的企图。
外资昨天转为卖超4,739张，使联电收盘价小跌0.2元，以14.7元作收。
市场抢货潮 将有解
记者简永祥／台北报导联电董事会通过提前启动明年资本支出预算256.48亿元，全力冲刺28纳米产能，虽然相关资本支出将放在明年，但也等于宣告28纳米制程已正式鸣枪冲刺。
据了解，联电28纳米制程落后台积电长达三年多，当初准备月产1.5万片，本月起联发科等积极导入Poly-Sion制程，产能利用率才初见拉升。
联电执行长颜博文表示，联电下半年重心将放在生产手机芯片效能较佳的高介电常数金属闸极（HKMG）制程，目前几乎是台积电独霸的局面，联电因制程是全球第二家与台积电同时采用HKMG 后闸极（Gate-Last）的晶圆代工厂；一旦良率拉升，预料将有助纾解目前市场上28纳米产能大排长龙的窘境。
设备厂透露，联电初期仍会集中先填补目前月产1.5万片设备，让产能有效发挥，才会再扩增机台。
稍早联电28纳米HKMG制程已先后获得博通、联发科及高通等认证通过，凸显联电28纳米制程技术已打通瓶颈，如今董事会决定通过相关预算，也象征联电要加速产能布建，分食28纳米订单塞爆的商机。
