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联电（2303）追赶先进制程，28奈米低功耗多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）制程下月开始承接联发科晶片、第3季产出，下半年将陆续导入高介电常数金属闸极（HKMG）制程，成为全球第二家提供28奈米HKMG Gate-last制程服务的晶圆代工厂。
联电28奈米对营运的贡献即将开始，相关制程发展备受各界关注。联电去年主力制程以65奈米以下为主，40奈米占比在去年第4季拉升至20%，增幅达95%；28奈米制程因Poly-SiON良率提升，已获联发科追单，6月将放量投片，第3季产出。
联电在上传的股东会营运报告书中强调，为追赶先进制程，去年投资约124.9亿元研发支出，用于发展28奈米Poly SiON及提升28奈米HKMG良率，合作客户及产品数量持续增加，产品项目涵盖行动通讯、运算、有线、无线网路、数位电视、资料储存控制器，以及可程式逻辑元件等各项应用。
至于14奈米以下的尖端技术，联电加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术，并藉由IBM的支援与关键制程，提升内部研发的14奈米FinFET技术，针对行动运算与通讯产品，提供低耗电优化技术。
联电昨天股价下跌0.1元，以13.2元作收。
