创意电子（3443）发表16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）DDR4硅智财（IP），内建实体层（PHY）自动训练模式，不但容易启动、可节省验证时间而且可使资料撷取定位达最佳化。新IP未来可能运用于各种高速网路架构和伺服器应用。
创意电子总裁赖俊豪表示，此16奈米FinFET DDR4 IP代表真正设计的突破。这是目前创意电子采用台积电16奈米FinFET 制程技术最快速的IP，也代表先进技术设计人员能够尽快展开新一代装置设计工作的绝佳良机。
