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联电（2303）追赶先进制程，28纳米低功耗多晶矽氮氧化矽（PolySiON）制程下月开始承接联发科芯片、第3季产出，下半年将陆续导入高介电常数金属闸极（HKMG）制程，成为全球第二家提供28纳米HKMGGate-last制程服务的晶圆代工厂。
联电28纳米对营运的贡献即将开始，相关制程发展备受各界关注。联电去年主力制程以65纳米以下为主，40纳米占比在去年第4季拉升至20%，增幅达95%；28纳米制程因Poly-SiON良率提升，已获联发科追单，6月将放量投片，第3季产出。
联电在上传的股东会营运报告书中强调，为追赶先进制程，去年投资约124.9亿元研发支出，用于发展28纳米PolySiON及提升28纳米HKMG良率，合作客户及产品数量持续增加，产品项目涵盖移动通信、运算、有线、无线网络、数码电视、资料储存控制器，以及可程序逻辑元件等各项应用。
至于14纳米以下的尖端技术，联电加入IBM技术开发联盟，共同开发10纳米CMOS制程技术，并藉由IBM的支持与关键制程，提升内部研发的14纳米FinFET技术，针对行动运算与通讯产品，提供低耗电优化技术。
联电昨天股价下跌0.1元，以13.2元作收。
来源:经济日报
