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《亚洲经济》5月19日报道：据三星电子和产业通商资源部近日消息，三星电子在今年3月完成了技术出口申报程序。三星位于西安的半导体工厂于本月9日刚刚竣工，其三维工程(002469,股吧)又将获得升级，这让韩国产业界对技术外流更感忧虑。这一项目由三星电子副会长李在镕主导，该技术是去年8月全球首次量产成功的积层型NAND闪存“V NAND”的新一代版本。V NAND采用了圆柱形电荷捕获闪存垂直积叠的技术，使闪存容量倍增。目前全球半导体企业中仅三星电子具备了量产能力。去年三星在京畿道华城工厂率先量产，今后计划将西安工厂培育为V NAND的主要生产基地。目前西安工厂已经具备了24层结构V NAND的生产线，三星电子还计划升级至32层及以上结构。随着三星的纳米技术、尖端三维技术先后出口中国，韩国对新一代半导体技术的投资很有可能首先在中国开花结果。业界专家指出，三星电子当时在推进西安工厂项目时，曾向政府保证将和国内保持一定的技术时间差，但现在这一承诺变得毫无意义。
