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英飞凌(Infineon)推出OptiMOS FD 200伏特(V)和250伏特。最新一代的Power 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)专为本体二极体硬式整流最佳化所设计，不仅提高产品耐用度、降低电压尖波，还能降低逆向回复电荷(Qrr)损失，进而提高系统可靠度。产品适用于电信系统、工业用电源供应器、D类音频放大器、48～110伏特(V)马达控制系统及直流对交流(DC-AC)变频器等硬式切换应用方面。
英飞凌直流对直流(DC-DC)系统部门资深协理Richard Kuncic表示，英飞凌再次提升200伏特和250伏特电压等级的水平，随着OptiMOS FD系列推出，英飞凌将持续提升切换效能。新一代的Power MOSFET协助客户省下工程设计上的成本及时间，尤其是硬式整流等应用方面。
OptiMOS FD 200伏特和250伏特的Qrr，比标准的OptiMOS系列降低40%，进而减少电压尖波，并省下缓震电路，提升系统可靠度。
最新OptiMOS FD提升了硬式整流的耐用度，可用于更严格的需求，dV/dt、dl/dt和电流密度都优于目前市场上的200伏特和250伏特技术，因此使用更方便，并可简化设计流程；同时，比起其他同类装置减少45%的导通电阻(RDS(on))和65% 的优值系数(FOM)，效率及功率密度皆获提升。
英飞凌网址：www.infineon.com
