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嵌入式非挥发性记忆体供应商力旺电子(eMemory)宣布，力旺电子 NeoBit 单次可程式记忆体(One Time Programmable embedded non-volatile memory，OTP)矽智财成功拓展Full-HD小尺寸显示器驱动晶片(SDDI)应用，在已布局之0.18um、0.13um、80nm高压制程平台外，更进一步于世界级晶圆代工厂之12寸 55奈米(nm)高压先进制程，提供成熟的量产解决方案。
此先进制程能将晶片面积微小化，以更小尺寸的静态随机存取记忆体(SRAM)实现Full-HD画质，同时亦提供具备低耗电的储存单元，可为高解析度小尺寸显示器驱动晶片客户，依不同产品定位，提供全方位低耗电与轻巧体积之Full-HD画质面板显示方案。除此之外，55nm高压先进制程更可积极做为超高画质(Ultra HD，UHD) 甚至于超高解析度(Wide Quad HD，WQHD) 显示器SDDI之生产平台，将可协助驱动晶片客户抢攻下一世代高阶显示器应用商机。
近年来手机、平板应用程式朝向多元化与娱乐化演进，消费者透过行动装置进行影音娱乐活动的需求快速提升，促使主流产品市场更加注重高解析度的萤幕画面、更长的电池寿命、与更轻薄的设计。这些市场趋势，引领行动通讯装置之解析度主流规格从WVGA/HD720推升至Full-HD高画质，甚至朝向UHD、WQHD演进，也使得强调具备高画质解析度、更小之晶片体积、以及省电低功耗设计等主流产品需求之规格，已成为现阶段驱动晶片发展的必然趋势。
以目前80nm、90nm高压制程生产之驱动晶片，受限于SRAM存取速度及功耗问题，耗电较高，效能较不理想，难以满足Full-HD SDDI对高容量SRAM的需求。然而，当显示器朝向越高解析度演进，驱动晶片必然需要内含更多高容量之SRAM，此时如何缩小晶片体积、同时降低功耗便成为需要克服的挑战。
55nm高压先进制程具备低耗电SRAM储存单元，且可进一步微缩SRAM之尺寸，适合采用做为Full-HD小尺寸显示器驱动晶片之生产平台。瞄准此市场趋势，力旺电子领先于12寸晶圆55nm先进高压制程布局，为Full-HD SDDI应用客户提供已臻成熟良率的解决方案。搭配力旺电子NeoBit OTP矽智财，使晶片客户得以利用参数设定的方式，协助调校显示驱动晶片的画面色彩，提高影像锐利度，使画质更清晰。
且力旺电子的NeoBit OTP矽智财，不须修改制程条件，能够于最终产品模组封装阶段弹性调整显示器驱动晶片色彩参数。力旺电子开发之NeoBit 技术即使在55nm先进制程，仍能展现优异的特性，包括稳定的产品良率、高度的可靠性、制程的便利性等，是客户能够成功利用此先进技术快速进入量产的关键因素。结合力旺电子之矽智财及先进制程的优势，能为客户建构更具竞争力之Full-HD SDDI生产平台，更加符合高阶行动装置之规格需求与应用。
采用力旺电子NeoBit OTP矽智财于55nm高压先进制程生产之Full-HD SDDI，具备小尺寸、低耗电、以及高效能之优势，能为客户大幅提升产品之竞争力与成本效益，并已于世界级的晶圆代工厂进入成熟量产的阶段。
力旺电子可为驱动晶片客户提供全方位的0.18um、0.13um、80nm、55nm高压制程平台NeoBit OTP解决方案，是客户掌握市场趋势及提升产品竞争力的最佳合作夥伴。展望未来，力旺电子将与晶圆代工合作夥伴积极深耕先进制程平台，为客户提供更多元、更完整的嵌入式非挥发性记忆体技术与矽智财服务。
