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三星在周二宣布，现在已经开始大规模量产“业界领先的”4Gb （512MB） DDR3 DRAM内存颗粒，采用20纳米工艺。新的内存将于年内上市，智能手机，平板电脑和笔记本电脑都将受益，电池续航会有一定程度改善。
三星的新闻稿中，对20纳米内存迅速成为市场主流信心十足。20纳米工艺的内存比现在25纳米工艺的产品节电25%，而且三星更改了生产工艺，现在产能更是比上一代增加了30%。
新闻稿也具体描述了生产采用的先进技术（双重曝光、原子层沉积ALD，沉浸式ArF光刻等），并表示已经开始研发 10 纳米工艺，为下一代DDR4做准备。
如果你对20纳米内存不算太有概念，那么想一下几年前大热的三星黑武士内存吧。那个产品是30纳米工艺的，在超频，节能等方面获得良好的口碑。希望20纳米内存不要和黑武士一样，太快就停产。
