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意法半导体(ST)将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率 MOFET 系列产品，让充电器、太阳能微转换器和电脑电源等重视节能的设备变得更精巧、更稳健以及更可靠。
意法半导体先进的 PowerFLAT 5x6 HV 和 PowerFLAT 5x6 VHV 封装拥有高达650V和800V电压执行所要求的隔离通道长度和间隙，而封装面积与产业标准的100V PowerFLAT 5x6封装的5mm x 6mm相同，比主流的 DPAK 封装缩小52%。此外，这两个先进封装仅有1mm的厚度，配备一个裸露的大面积金属汲极接垫(metal drain pad)，透过印刷电路板上的散热穿孔最大幅度地散热。
这些功能同时提高了高压输出能力、稳健性、可靠性和系统功率密度。
意法半导体目前推出了三款采用 PowerFLAT 5x6 HV 封装的650V MDmesh V MOSFET 产品，并推出了四款额定电压极高、采用 PowerFLAT 5x6 VHV 800V 封装的 SuperMESH 5 MOSFET 。
此外，意法半导体已开始提供两款采用 PowerFLAT 5x6 HV 封装的600 V 快速开关 MDmesh II Plus low Qg MOSFET 测试样品。
