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低容量Flash市场吃紧，旺宏抢攻市占、今年表现可期包括三星、东芝等国际记忆体大厂相继退出8Gb以下SLC NAND Flash市场，台湾记忆体厂旺宏、力晶等积极卡位，其中旺宏以自有硅智财开发出36奈米SLC NAND Flash晶片，已开始送样并陆续获得国际系统大厂认证通过。由于8Gb以下SLC NAND Flash市场供不应求且价格大涨，法人看好旺宏有机会力拚赚钱。
过去10年当中，包括东芝、三星等国际记忆体厂张开专利防护伞，导致国内记忆体厂无法抢进NAND Flash市场，仅有力晶因获得日本瑞萨AG-AND技术授权而得以生产低容量NAND Flash晶片。
今年以来SLC NAND Flash现货价走势而今年以来，国际大厂因现有20奈米以下先进製程用来生产8Gb以下容量SLC NAND Flash不具成本效益，相继决定退出，使得今年来8Gb及4Gb SLC NAND Flash市场供不应求，价格已大涨逾20%。
看好低容量SLC NAND Flash仍被大量应用在工控、航太、军事等市场，旺宏以自有NOR Flash专利及硅智财，成功开发自有SLC NAND Flash晶片，并且避开国际大厂专利，去年已开始以36奈米生产NAND Flash并送样认证，今年陆续获得国际系统大厂认证通过。
旺宏近5季营收获利旺宏总经理卢志远日前表示，包括三星、东芝等四大NAND Flash厂现在都是主攻64Gb以上高容量，1Gb～8Gb低容量市场均已慢慢退出，所以对旺宏来说，低容量NAND Flash仍然有10～20亿美元的市场可以抢攻市占，将成为今年最具成长性的市场。
卢志远指出，旺宏36奈米4Gb SLC NAND Flash去年第4季已对客户送样认证，低容量NAND Flash将成为今年最具成长性的市场，旺宏今年出货量就可望较去年成长10倍以上，今年将是衝刺NAND Flash的元年。
旺宏去年全年营收达222.04亿元，较前年衰退8%，毛利率约9%，全年亏损63.06亿元，每股亏损1.79元。法人表示，旺宏去年底手中现金及约当现金高达119.79亿元，营运亏损主要是来自于提列12吋厂庞大折旧费用，一旦折旧结束，获利将出现强劲爆发力道，如今成功跨足NAND Flash，今年就有机会力拚由亏转盈。
