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转自eettaiwan的消息，嵌入式非挥发性记忆体领导厂商力旺电子(eMemory)宣布，与世界先进积体电路(VIS)合作之 0.16微米高压制程嵌入式快闪记忆体 NeoFlash 矽智财，规格已由原先之消费性电子应用范围强化至工业等级，大幅提升资料在严苛的工业环境留存能力，可支援对高温操作环境有严格要求之客户。
此成果为 NeoFlash 继应用于触控芯片与电池容量侦测芯片后之重要制程突破，将可使产品应用范围自消费性电子扩大至高阶工业规格领域，如工业机具、制造设备与医疗器材等。目前此解决方案已成功通过可靠度验证，即日起可供该公司客户量产使用。
力旺电子所提供之 0.16微米高压制程嵌入式快闪记忆体 NeoFlash 矽智财规格增强至125℃/10年，读取速度高达40ns，更适用于对环境要求与性能表现更为严苛之工业产品，如ARM Cortex-M0微控制器之需求，可协助客户自消费性电子市场跨越至工业规格范畴，进阶扩展应用产品版图。
力旺电子之嵌入式快闪记忆体NeoFlash矽智财因与逻辑制程完全相容，与高压制程整合性高，仅需外加2道光罩，即可于高压制程平台实现储存功能，与其它嵌入式快闪记忆体至少需外加7至9道光罩相比，可大幅减轻晶圆制造成本。另外，若客户在成本和功能的平衡上需要更多元化的解决方案，亦可选搭力旺电子特有之混合式嵌入式非挥发性记忆体解决方案，突显产品差异化优势，推出定位更精准的产品。
继嵌入式快闪记忆体NeoFlash技术提升至工业规格应用领域，进入成熟量产后，力旺电子与世界先进期望持续利用双方优势，以卓越的技术与支援服务，共同打造功能性更高、整合性更佳的利基型制程平台，为客户创造战略化之商机。
