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据研调机构TrendForece旗下DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡厂大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此去年第四季全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金(见左图)，季成长近5%，连五季创新高。
TrendForce研究协理吴雅婷表示，就去年第四季合约价格走势做观察，由于9月SK海力士受祝融波及而影响当下出货，DRAM 4GB模组合约均价最高来到34美元价位，较火灾发生前上涨约2成，供货不足下主要PC OEM厂纷纷转向三星及美光要求紧急供货，是这波价格上涨受惠最多的厂商。
吴雅婷表示，三星受惠于25奈米製程开始放量，供货最充足，所以成交价也相对较高，美光次之，SK海力士为避免客户流失，将合约价格放低，为这波涨价潮当中受惠最小的供应商。2013年DRAM总产值总计达到34.4亿美元，年成长约3成。
从全球DRAM厂自有品牌记忆体市占来观察，去年第四季三星半导体与SK海力士半导体各约为39%与24%，两者差距再进一步拉大，韩厂市佔率则下滑至64.2%。三星标准型记忆体比重进一步提升，并持续扩大行动式记忆体对外採购比重；由于三星的25奈米已经顺利量产出货，相较于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，显然成本结构领先同业水准。
而在2014年DRAM平均销售单价可能缓跌的前提下，三星的营业利益料仍旧可以维持20%水位，无疑为DRAM产业获利最高的厂商。SK海力士受无锡厂大火影响，其市占由去年第三季的28.5%微幅下降至23.8%，预计产能流失的衝击可望在今年首季全面恢复。
美光与日商尔必达综合市占为28.7%，正式超越SK海力士成为排名第二，受惠于价格上扬与成本下降两项因素，营业利益成长幅度表现佳。美光集团2014年目标为逐渐导入尔必达20奈米技术，预计正式量产时程约落在年末，若站在标准型记忆体的角度观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。
台系厂部分，南科(2408)也积极转进30nm製程，其投片量已来到总产能近8成，即使去年第四季停止从华亚科(3474)取得晶圆，在营收上仍有9.5%的季成长。力晶DRAM营收于该季仅有6%的成长，除了力晶已转型为代工业务为主外，其去年下半年启动的P3厂DRAM业务，也是属于代工性质，不受DRAM价格波动影响，亦无法带动DRAM营收继续往上攀升。华邦电(2344)则是受到火灾转单效应与传统旺季需求，该季营收成长约9.7%，今年华邦除了提升投片量至38K/月外，提升46nm製程转进比重亦是今年的重点，生产成本降低将有助今年第一季的获利表现。
从市场面来观察，TrendForce认为无锡厂的复工状况为牵动未来价格走势的最主要关键；由于每年首季都是需求淡季，加上产出增加 (三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士无锡厂复工)，TrendForce预估今年DRAM价格将呈现缓跌态势，而跌幅将随著旺季来临而趋缓。
